L9362013TR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para L9362013TR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para L9362013TR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre L9362013TR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
L9362013TR
- Número de pieza:
- L9362013TR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descripción:
- IC DRIVER QUAD LOW SIDE POWERSO3
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 29478 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- L9362013TR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - fuente (Vcc / Vdd): | - |
| Tensión - Carga: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tipo de interruptor: | General Purpose |
| Paquete del dispositivo: | PowerSO-36 |
| Serie: | - |
| Rds On (Tipo): | 250 mOhm |
| Relación - Entrada: Salida: | 1:1 |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | PowerSO-36 Exposed Bottom Pad |
| Tipo de salida: | N-Channel |
| Configuración de salida: | Low Side |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Número de salidas: | 4 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Interfaz: | SPI |
| Tipo de entrada: | - |
| Caracteristicas: | - |
| Protección contra fallos: | Open Load Detect, Over Temperature |
| Corriente - Salida (Max): | 3A |
| Número de pieza base: | L9362 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de L9362013TR
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash