L04022R7BHNTR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para L04022R7BHNTR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para L04022R7BHNTR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre L04022R7BHNTR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
L04022R7BHNTR
- Número de pieza:
- L04022R7BHNTR
- Fabricante:
- AVX Corporation
- Descripción:
- FIXED IND 2.7NH 250MA 250 MOHM
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 32660 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- L04022R7BHNTR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | Thin Film |
| Tolerancia: | ±0.1nH |
| Paquete del dispositivo: | 0402 (1005 Metric) |
| Tamaño / Medidas: | 0.039" L x 0.023" W (1.00mm x 0.58mm) |
| blindaje: | Unshielded |
| Serie: | Accu-L® 0402 |
| calificaciones: | - |
| Q según frecuencia: | 15 @ 450MHz |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 0402 (1005 Metric) |
| Otros nombres: | 478-4197-1 |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Núcleo: | Non-Magnetic |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 11 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 450MHz |
| Inductancia: | 2.7nH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.018" (0.45mm) |
| Frequency - Self Resonant: | 9.5GHz |
| Descripción detallada: | 2.7nH Unshielded Thin Film Inductor 250mA 250 mOhm Max 0402 (1005 Metric) |
| Resistencia de CC (DCR): | 250 mOhm Max |
| Valoración actual: | 250mA |
| Corriente - Saturación: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de L04022R7BHNTR
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga