KZE16VB471M10X12LL está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para KZE16VB471M10X12LL, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para KZE16VB471M10X12LL por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre KZE16VB471M10X12LL con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
KZE16VB471M10X12LL
- Número de pieza:
- KZE16VB471M10X12LL
- Fabricante:
- Nippon Chemi-Con
- Descripción:
- CAP ALUM 470UF 20% 16V RADIAL
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 47169 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- KZE16VB471M10X12LL.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Calificación: | 16V |
| Tolerancia: | ±20% |
| Tamaño de la superficie del terreno Monte: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| Serie: | KZE |
| Corriente de ondulación a baja frecuencia: | 515mA @ 120Hz |
| Corriente de ondulación a alta frecuencia: | 1.03A @ 100kHz |
| calificaciones: | - |
| Polarización: | Polar |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Radial, Can |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 105°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Curso de la vida @ temp.: | 4000 Hrs @ 105°C |
| Separación de terminales: | 0.197" (5.00mm) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancia: | 53 mOhms |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.492" (12.50mm) |
| ESR (Resistencia serie equivalente): | - |
| Descripción detallada: | 470µF 16V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C |
| Capacidad: | 470µF |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de KZE16VB471M10X12LL
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash