JAN1N3910 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para JAN1N3910, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para JAN1N3910 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre JAN1N3910 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
JAN1N3910
- Número de pieza:
- JAN1N3910
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 50A DO5
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 30943 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- JAN1N3910.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 50A |
| Tensión - Desglose: | DO-35 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/308 |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Otros nombres: | 1086-15709 1086-15709-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 200ns |
| Tipo de montaje: | Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N3910 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 100V 50A Stud Mount DO-35 |
| configuración de diodo: | 15µA @ 100V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.4V @ 50A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 100V |
| Capacitancia Vr, F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de JAN1N3910
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga