IXTY01N100D
Número de pieza:
IXTY01N100D
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
39409 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXTY01N100D.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:110 Ohm @ 50mA, 0V
La disipación de energía (máximo):1.1W (Ta), 25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 25V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V
Descripción detallada:N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Tc)
Email:[email protected]

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