IXTP05N100M
IXTP05N100M
Número de pieza:
IXTP05N100M
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
39507 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXTP05N100M.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 25µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:17 Ohm @ 375mA, 10V
La disipación de energía (máximo):25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:260pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V
Descripción detallada:N-Channel 1000V 700mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:700mA (Tc)
Email:[email protected]

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