IXTN22N100L
IXTN22N100L
Número de pieza:
IXTN22N100L
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
49844 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXTN22N100L.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 11A, 20V
La disipación de energía (máximo):700W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres:611085
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7050pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:270nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V
Descripción detallada:N-Channel 1000V 22A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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