IXTK32P60P
IXTK32P60P
Número de pieza:
IXTK32P60P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET P-CH 600V 32A TO-264
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
32950 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXTK32P60P.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-264 (IXTK)
Serie:PolarP™
RDS (Max) @Id, Vgs:350 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo):890W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:196nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:P-Channel 600V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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