IXFT26N50Q TR
Número de pieza:
IXFT26N50Q TR
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
56477 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXFT26N50Q TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-268 (IXFT)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:200 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Otros nombres:IXFT26N50Q TR-ND
IXFT26N50QTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:95nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción detallada:N-Channel 500V 26A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

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