IXFA3N120
IXFA3N120
Número de pieza:
IXFA3N120
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
55432 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXFA3N120.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (IXFA)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):200W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V
Descripción detallada:N-Channel 1200V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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