IXDN509D1T/R está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para IXDN509D1T/R, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para IXDN509D1T/R por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre IXDN509D1T/R con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
IXDN509D1T/R
- Número de pieza:
- IXDN509D1T/R
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- IC GATE DRIVER SGL 9A 6-DFN
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 39000 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IXDN509D1T/R.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 4.5 V ~ 30 V |
| Paquete del dispositivo: | 6-DFN (4x5) |
| Serie: | - |
| Tiempo de subida / bajada (típico): | 25ns, 23ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | IXDN509D1T/R-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| estilo de la llave: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tensión lógica - VIL, VIH: | 0.8V, 2.4V |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Non-Inverting |
| Tipo de Puerta: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Configuración impulsada: | Low-Side |
| Descripción detallada: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 6-DFN (4x5) |
| Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero): | 9A, 9A |
| Corriente de carga: | Single |
| Número de pieza base: | IXD*509 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXDN509D1T/R
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash