IRLM220ATF
IRLM220ATF
Número de pieza:
IRLM220ATF
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
32277 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.IRLM220ATF.pdf2.IRLM220ATF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223-4
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:800 mOhm @ 570mA, 5V
La disipación de energía (máximo):2W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:IRLM220ATFCT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:430pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 1.13A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.13A (Ta)
Email:[email protected]

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