IRLI640G
IRLI640G
Número de pieza:
IRLI640G
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Estado sin plomo:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad de stock:
26121 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IRLI640G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:180 mOhm @ 5.9A, 5V
La disipación de energía (máximo):40W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres:*IRLI640G
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 9.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.9A (Tc)
Email:[email protected]

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