IRG4BC30W-STRRP está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para IRG4BC30W-STRRP, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para IRG4BC30W-STRRP por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre IRG4BC30W-STRRP con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
IRG4BC30W-STRRP
- Número de pieza:
- IRG4BC30W-STRRP
- Descripción:
- IGBT 600V 23A 100W D2PAK
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 26168 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IRG4BC30W-STRRP.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 12A |
| Condición de prueba: | 480V, 12A, 23 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C: | 25ns/99ns |
| Cambio de Energía: | 130µJ (on), 130µJ (off) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 100W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | SP001540364 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | - |
| puerta de carga: | 51nC |
| Descripción detallada: | IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM): | 92A |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 23A |
| Número de pieza base: | IRG4BC30W-SPBF |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRG4BC30W-STRRP
Latest Noticias
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash