IRG4BC30F-STRR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para IRG4BC30F-STRR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para IRG4BC30F-STRR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre IRG4BC30F-STRR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
IRG4BC30F-STRR
- Número de pieza:
- IRG4BC30F-STRR
- Descripción:
- IGBT 600V 31A 100W D2PAK
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 45741 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IRG4BC30F-STRR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.8V @ 15V, 17A |
| Condición de prueba: | 480V, 17A, 23 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C: | 21ns/200ns |
| Cambio de Energía: | 230µJ (on), 1.18mJ (off) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 100W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | IRG4BC30FSTRR |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | - |
| puerta de carga: | 51nC |
| Descripción detallada: | IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM): | 120A |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 31A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRG4BC30F-STRR
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash