IRFH8337TR2PBF
IRFH8337TR2PBF
Número de pieza:
IRFH8337TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
35250 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IRFH8337TR2PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.2W (Ta), 27W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:IRFH8337TR2PBFCT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.2W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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