IRF8915TRPBF
IRF8915TRPBF
Número de pieza:
IRF8915TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
50694 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IRF8915TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:*IRF8915TRPBF
IRF8915PBFCT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.9A
Número de pieza base:IRF8915PBF
Email:[email protected]

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