IRF6614TRPBF
IRF6614TRPBF
Número de pieza:
IRF6614TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
30265 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IRF6614TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.25V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET™ ST
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 42W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric ST
Otros nombres:IRF6614TRPBFTR
SP001527924
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2560pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:N-Channel 40V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12.7A (Ta), 55A (Tc)
Email:[email protected]

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