IPSA70R2K0P7SAKMA1
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Número de pieza:
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET TO251-3
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
57102 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IPSA70R2K0P7SAKMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 30µA
Vgs (Max):±16V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO251
Serie:CoolMOS™ P7
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):17.6W (Tc)
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres:SP001664770
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:130pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.8nC @ 400V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:700V
Descripción detallada:N-Channel 700V 3A 17.6W (Tc) Through Hole PG-TO251
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A
Email:[email protected]

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