IPB032N10N5ATMA1
Número de pieza:
IPB032N10N5ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
26779 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IPB032N10N5ATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3.8V @ 125µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-7
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:3.2 mOhm @ 83A, 10V
La disipación de energía (máximo):187W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Otros nombres:SP001607808
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6970pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:95nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 166A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:166A (Tc)
Email:[email protected]

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