IPB029N06N3GATMA1 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para IPB029N06N3GATMA1, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para IPB029N06N3GATMA1 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre IPB029N06N3GATMA1 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
IPB029N06N3GATMA1
- Número de pieza:
- IPB029N06N3GATMA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 49967 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IPB029N06N3GATMA1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 118µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.9 mOhm @ 100A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 188W (Tc) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | IPB029N06N3 GCT IPB029N06N3 GCT-ND IPB029N06N3GATMA1CT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 13000pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IPB029N06N3GATMA1
Latest Noticias
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios