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HTMN5130SSD-13
- Número de pieza:
- HTMN5130SSD-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 30869 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- HTMN5130SSD-13.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 130 mOhm @ 3A, 10V |
| Potencia - Max: | 1.7W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | HTMN5130SSD-13DI HTMN5130SSD-13DI-ND HTMN5130SSD-13DITR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 218.7pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 8.9nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A |
| Email: | [email protected] |
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