HS250 R82 F está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para HS250 R82 F, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para HS250 R82 F por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre HS250 R82 F con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
HS250 R82 F
- Número de pieza:
- HS250 R82 F
- Fabricante:
- Ohmite
- Descripción:
- RES CHAS MNT 0.82 OHM 1% 250W
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 44959 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- HS250 R82 F.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tolerancia: | ±1% |
| Coeficiente de temperatura: | ±100ppm/°C |
| Tamaño / Medidas: | 4.319" x 1.791" (109.70mm x 45.50mm) |
| Serie: | ARCOL, HS |
| Paso de banda Ripple (Db): | 820 mOhms |
| Potencia (W): | 250W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Axial, Box |
| Otros nombres: | HS250 R82 F-ND HS250R82F |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Característica de montaje: | Flanges |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Estilo plomo: | M6 Threaded |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Asiento (Máx): | 1.646" (41.80mm) |
| Caracteristicas: | - |
| Tasa de fracaso: | - |
| Descripción detallada: | 820 mOhms ±1% 250W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| Composición: | Wirewound |
| Revestimientos, Tipo de Vivienda: | Aluminum |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de HS250 R82 F
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash