HK21252N2S-T está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para HK21252N2S-T, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para HK21252N2S-T por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre HK21252N2S-T con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
HK21252N2S-T
- Número de pieza:
- HK21252N2S-T
- Fabricante:
- Taiyo Yuden
- Descripción:
- FIXED IND 2.2NH 300MA 100 MOHM
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 51258 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.HK21252N2S-T.pdf2.HK21252N2S-T.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | Multilayer |
| Tolerancia: | ±0.3nH |
| Paquete del dispositivo: | 0805 (2012 Metric) |
| Tamaño / Medidas: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| blindaje: | Unshielded |
| Serie: | HK |
| calificaciones: | - |
| Q según frecuencia: | 10 @ 100MHz |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 0805 (2012 Metric) |
| Otros nombres: | HK21252N2ST LG HK 2125 2N2S-T |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Núcleo: | Ferrite |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 7 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 100MHz |
| Inductancia: | 2.2nH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.041" (1.05mm) |
| Frequency - Self Resonant: | 4GHz |
| Descripción detallada: | 2.2nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) |
| Resistencia de CC (DCR): | 100 mOhm Max |
| Valoración actual: | 300mA |
| Corriente - Saturación: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de HK21252N2S-T
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash