FQB17P06TM
FQB17P06TM
Número de pieza:
FQB17P06TM
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
21123 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FQB17P06TM.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:120 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.75W (Ta), 79W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:P-Channel 60V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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