FGA6560WDF
FGA6560WDF
Número de pieza:
FGA6560WDF
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
59386 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FGA6560WDF.pdf

Introducción

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Especificaciones

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Tensión - Colector-emisor (máx):650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 60A
Condición de prueba:400V, 60A, 6 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:25.6ns/71ns
Cambio de Energía:2.46mJ (on), 520µJ (off)
Paquete del dispositivo:TO-3PN
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):110ns
Potencia - Max:306W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
puerta de carga:84nC
Descripción detallada:IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
Corriente - Colector Pulsada (ICM):180A
Corriente - colector (Ic) (Max):120A
Email:[email protected]

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