FDY301NZ_G
Número de pieza:
FDY301NZ_G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
32134 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDY301NZ_G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-89-3
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:5 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):625mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-89, SOT-490
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.1nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:N-Channel 20V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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