FDS8958
FDS8958
Número de pieza:
FDS8958
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
49304 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.FDS8958.pdf2.FDS8958.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:28 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:789pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A, 5A
Email:[email protected]

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