FDPC8011S
FDPC8011S
Número de pieza:
FDPC8011S
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
23379 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDPC8011S.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:Powerclip-33
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:6 mOhm @ 13A, 10V
Potencia - Max:800mW, 900mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:FDPC8011SFSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1240pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 13A, 27A 800mW, 900mW Surface Mount Powerclip-33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13A, 27A
Número de pieza base:FDPC8011S
Email:[email protected]

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