FDP083N15A-F102
Número de pieza:
FDP083N15A-F102
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
22146 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDP083N15A-F102.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:8.3 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo):294W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:FDP083N15A_F102
FDP083N15A_F102-ND
FDP083N15A_F102FS-ND
FDP083N15AF102
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6040pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:84nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción detallada:N-Channel 150V 83A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:83A (Tc)
Email:[email protected]

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