FDP120N10
Número de pieza:
FDP120N10
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 74A TO-220
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
44935 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.FDP120N10.pdf2.FDP120N10.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:12 mOhm @ 74A, 10V
La disipación de energía (máximo):170W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5605pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:86nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 74A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:74A (Tc)
Email:[email protected]

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