FDMS037N08B
FDMS037N08B
Número de pieza:
FDMS037N08B
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
34408 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDMS037N08B.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PQFN (5x6)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:3.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):830mW (Ta), 104.2W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:FDMS037N08BCT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:34 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5915pF @ 37.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:75V
Descripción detallada:N-Channel 75V 100A (Tc) 830mW (Ta), 104.2W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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