FDMD8260L
FDMD8260L
Número de pieza:
FDMD8260L
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
20262 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDMD8260L.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:12-Power3.3x5
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:5.8 mOhm @ 15A, 10V
Potencia - Max:1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:12-PowerWDFN
Otros nombres:FDMD8260LTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5245pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15A
Email:[email protected]

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