FDMC7692_F126
Número de pieza:
FDMC7692_F126
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
INTEGRATED CIRCUIT
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
38376 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDMC7692_F126.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-MLP (3.3x3.3)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:8.5 mOhm @ 13.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.3W (Ta), 29W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 13.3A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13.3A (Ta), 16A (Tc)
Email:[email protected]

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