FDD8424H_F085A está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para FDD8424H_F085A, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para FDD8424H_F085A por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre FDD8424H_F085A con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
FDD8424H_F085A
- Número de pieza:
- FDD8424H_F085A
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 27179 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- FDD8424H_F085A.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - Prueba: | 1000pF @ 20V |
| Tensión - Desglose: | TO-252-5 |
| VGS (th) (Max) @Id: | 24 mOhm @ 9A, 10V |
| Serie: | PowerTrench® |
| Estado RoHS: | Tube |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 9A, 6.5A |
| Potencia - Max: | 1.3W |
| Polarización: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Otros nombres: | FDD8424H_F085A-5 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | FDD8424H_F085A |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 20nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| Característica de FET: | N and P-Channel |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-5 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | Logic Level Gate |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 40V |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de FDD8424H_F085A
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos