FDC3616N
Número de pieza:
FDC3616N
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
25666 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDC3616N.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SuperSOT™-6 FLMP
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 3.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Otros nombres:FDC3616N_NLCT
FDC3616N_NLCT-ND
FDC3616NCT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1215pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 3.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.7A (Ta)
Email:[email protected]

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