EWT100JB50K0 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para EWT100JB50K0, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para EWT100JB50K0 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre EWT100JB50K0 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
EWT100JB50K0
- Número de pieza:
- EWT100JB50K0
- Fabricante:
- Stackpole Electronics, Inc.
- Descripción:
- RES CHAS MNT 50K OHM 5% 100W
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 53032 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.EWT100JB50K0.pdf2.EWT100JB50K0.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tolerancia: | ±5% |
| Coeficiente de temperatura: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.752" Dia x 6.496" L (19.10mm x 165.00mm) |
| Serie: | EWT |
| Paso de banda Ripple (Db): | 50 kOhms |
| Potencia (W): | 100W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Radial, Tubular |
| Otros nombres: | EWT 100 50K 5% B EWT10050KJB EWT10050KJB-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 350°C |
| Característica de montaje: | Brackets (not included) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Estilo plomo: | Tab |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Asiento (Máx): | - |
| Caracteristicas: | Flame Proof, Safety |
| Tasa de fracaso: | - |
| Descripción detallada: | 50 kOhms ±5% 100W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| Composición: | Wirewound |
| Revestimientos, Tipo de Vivienda: | Vitreous Enamel Coated |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de EWT100JB50K0
Latest Noticias
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash