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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > EPC2033ENGRT
EPC2033ENGRT
EPC2033ENGRT
Número de pieza:
EPC2033ENGRT
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
20125 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
EPC2033ENGRT.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 9mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 25A, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-1141-2
917-1141-2-ND
917-EPC2033ENGRTR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción detallada:N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Ta)
Email:[email protected]

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