EL8170FSZ-T7A está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para EL8170FSZ-T7A, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para EL8170FSZ-T7A por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre EL8170FSZ-T7A con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
EL8170FSZ-T7A
- Número de pieza:
- EL8170FSZ-T7A
- Fabricante:
- Intersil
- Descripción:
- IC OPAMP INSTR 192KHZ RRO 8SOIC
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 25558 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- EL8170FSZ-T7A.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Alimentación de voltaje, simple / doble (±): | 2.4 V ~ 5.5 V |
| Voltaje - Offset de entrada: | 50µV |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Velocidad de subida: | 0.55 V/µs |
| Serie: | - |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tipo de salida: | Rail-to-Rail |
| Otros nombres: | EL8170FSZ-T7ACT |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C |
| Número de circuitos: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Instrumentation Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC |
| Suministro de corriente: | 65µA |
| Corriente - Salida / Canal: | 32mA |
| Corriente - polarización de entrada: | 700pA |
| Número de pieza base: | EL8170 |
| Tipo amplificador: | Instrumentation |
| Ancho de banda de -3 dB: | 192kHz |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de EL8170FSZ-T7A
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga