EFC6602R-TR
Número de pieza:
EFC6602R-TR
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH EFCP
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
46083 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
EFC6602R-TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:-
Paquete del dispositivo:EFCP2718-6CE-020
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:-
Potencia - Max:2W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:6-XFBGA, FCBGA
Otros nombres:EFC6602R-TROSCT
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:55nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:-
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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