DS2506S+ está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para DS2506S+, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para DS2506S+ por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre DS2506S+ con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
DS2506S+
- Número de pieza:
- DS2506S+
- Fabricante:
- Maxim Integrated
- Descripción:
- IC EPROM 64K 1WIRE 8SO
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 39654 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- DS2506S+.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | - |
| Tecnología: | EPROM - OTP |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Otros nombres: | Q11207434 Q11462001 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 64Kb (64K x 1) |
| Interfaz de memoria: | 1-Wire® |
| Formato de memoria: | EPROM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | EPROM - OTP Memory IC 64Kb (64K x 1) 1-Wire® 2µs 8-SO |
| Número de pieza base: | DS2506 |
| Tiempo de acceso: | 2µs |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de DS2506S+
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash