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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DRA2533Q0L
DRA2533Q0L
Número de pieza:
DRA2533Q0L
Fabricante:
Panasonic
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
58826 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DRA2533Q0L.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:Mini3-G3-B
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):4.6 kOhms
Resistor - Base (R1):3.1 kOhms
Potencia - Max:200mW
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:DRA2533Q0LDKR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 100mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):1µA
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Número de pieza base:DRA2533
Email:[email protected]

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