DMN2029USD-13
DMN2029USD-13
Número de pieza:
DMN2029USD-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
20004 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMN2029USD-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Potencia - Max:1.2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:DMN2029USD-13DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1171pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18.6nC @ 8V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.8A
Email:[email protected]

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