DGSS6-06CC está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para DGSS6-06CC, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para DGSS6-06CC por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre DGSS6-06CC con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
DGSS6-06CC
- Número de pieza:
- DGSS6-06CC
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V 11A
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 58994 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- DGSS6-06CC.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 2.1V @ 6A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | ISOPLUS220™ |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 20ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | ISOPLUS220™ |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| configuración de diodo: | 1 Pair Series Connection |
| Descripción detallada: | Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 600V 11A Through Hole ISOPLUS220™ |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 150µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 11A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de DGSS6-06CC
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC