CD40107BMG4 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para CD40107BMG4, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para CD40107BMG4 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre CD40107BMG4 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
CD40107BMG4
- Número de pieza:
- CD40107BMG4
- Fabricante:
- TI
- Descripción:
- IC GATE NAND 2CH 2-INP 8SOIC
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 29553 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- CD40107BMG4.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 3 V ~ 18 V |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | 4000B |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C |
| Número de entradas: | 2 |
| Número de circuitos: | 2 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max retraso de propagación @ V, máx CL: | 100ns @ 15V, 50pF |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Tipo de lógica: | NAND Gate |
| Lógica - Bajo: | 1.5 V ~ 4 V |
| Lógica - Alto: | 3.5 V ~ 11 V |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Caracteristicas: | Open Drain |
| Descripción detallada: | NAND Gate IC 2 Channel Open Drain 8-SOIC |
| Corriente - Reposo (Máx): | 4µA |
| Actual - salida alta, bajo: | -, 68mA |
| Número de pieza base: | 40107 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de CD40107BMG4
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC