C4ATHBU4100A30J está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para C4ATHBU4100A30J, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para C4ATHBU4100A30J por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre C4ATHBU4100A30J con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
C4ATHBU4100A30J
- Número de pieza:
- C4ATHBU4100A30J
- Fabricante:
- KEMET
- Descripción:
- CAP FILM 1UF 5% 600VDC SNUBBER
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 47229 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.C4ATHBU4100A30J.pdf2.C4ATHBU4100A30J.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Clasificación de voltaje - CC: | 600V |
| Clasificación de voltaje - CA: | 350V |
| Tolerancia: | ±5% |
| Terminación: | PC Pins |
| Tamaño / Medidas: | 1.260" L x 0.512" W (32.00mm x 13.00mm) |
| Serie: | C4AT |
| calificaciones: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Radial |
| Otros nombres: | 399-17290 4ATHBU4100A30J C4ATHBU4100A30J-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks |
| Separación de terminales: | 1.083" (27.50mm) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.787" (20.00mm) |
| Caracteristicas: | - |
| ESR (Resistencia serie equivalente): | 7.7 mOhms |
| material dieléctrico: | Polypropylene (PP), Metallized |
| Descripción detallada: | 1µF Film Capacitor 350V 600V Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| Capacidad: | 1µF |
| aplicaciones: | DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de C4ATHBU4100A30J
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
C4ATFBW5300A3MJ | KEMET | CAP FILM 30UF 5% 400VDC RAD 4 LD | Investigación |
 |
C4ATHBU4100A3BJ | KEMET | CAP FILM 1UF 5% 600VDC RADIAL | Investigación |
 |
C4ATGBW4330A3EJ | KEMET | CAP FILM 3.3UF 5% 450VDC RADIAL | Investigación |
 |
C4ATHBW4900A3LJ | KEMET | CAP FILM 9UF 5% 600VDC RAD 4LD | Investigación |
 |
C4ATJBU4100A10J | KEMET | CAP FILM 1UF 5% 700VDC RADIAL | Investigación |
 |
C4ATHBW5200A3NJ | KEMET | CAP FILM 20UF 5% 600VDC RAD 4LD | Investigación |
 |
C4ATGBW5200A3MJ | KEMET | CAP FILM 20UF 5% 450VDC RAD 4LD | Investigación |
 |
C4ATJBW4500A3JJ | KEMET | CAP FILM 5UF 5% 700VDC RADIAL | Investigación |
 |
C4ATGBW5100A3FJ | KEMET | CAP FILM 10UF 5% 450VDC RAD 4LD | Investigación |
 |
C4ATJBU4300A3GK | KEMET | CAP FILM 3UF 10% 700VDC RAD 4 LD | Investigación |
 |
C4ATHBW4220A30J | KEMET | CAP FILM 2.2UF 5% 600VDC SNUBBER | Investigación |
 |
C4ATGBW4680A3GJ | KEMET | CAP FILM 6.8UF 5% 450VDC RAD 4LD | Investigación |
|
C4ATFBW5200A3LJ | KEMET | CAP FILM 20UF 5% 400VDC RAD 4LD | Investigación |
|
C4ATGBW5150A3LJ | KEMET | CAP FILM 15UF 5% 450VDC RAD 4LD | Investigación |
|
C4ATHBW4330A3GJ | KEMET | CAP FILM 3.3UF 5% 600VDC RAD 4LD | Investigación |
|
C4ATHBW5100A3LJ | KEMET | CAP FILM 10UF 5% 600VDC RAD 4LD | Investigación |
 |
C4ATFBW5400A3NJ | KEMET | CAP FILM 40UF 5% 400VDC RAD 4LD | Investigación |
 |
C4ATJBW4100A3DJ | KEMET | CAP FILM 1UF 5% 700VDC RADIAL | Investigación |
 |
C4ATGBU4220A1DJ | KEMET | CAP FILM 2.2UF 5% 450VDC RADIAL | Investigación |
|
C4ATFBW5100A3FJ | KEMET | CAP FILM 10UF 5% 400VDC RADIAL | Investigación |
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos