C3216X5R0J106M/8 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para C3216X5R0J106M/8, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para C3216X5R0J106M/8 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre C3216X5R0J106M/8 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
C3216X5R0J106M/8
- Número de pieza:
- C3216X5R0J106M/8
- Fabricante:
- TDK Corporation
- Descripción:
- CAP CER 10UF 6.3V X5R 1206
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 24868 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.C3216X5R0J106M/8.pdf2.C3216X5R0J106M/8.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Calificación: | 6.3V |
| Tolerancia: | ±20% |
| Espesor (máx): | 0.071" (1.80mm) |
| Coeficiente de temperatura: | X5R |
| Tamaño / Medidas: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Serie: | C |
| calificaciones: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 1206 (3216 Metric) |
| Otros nombres: | C3216X5R0J106MT/8 C3216X5R0J106MT/8-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 85°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount, MLCC |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estilo plomo: | - |
| Separación de terminales: | - |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Asiento (Máx): | - |
| Caracteristicas: | - |
| Tasa de fracaso: | - |
| Descripción detallada: | 10µF ±20% 6.3V Ceramic Capacitor X5R 1206 (3216 Metric) |
| Capacidad: | 10µF |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de C3216X5R0J106M/8
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga