BUK7J1R0-40HX está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BUK7J1R0-40HX, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BUK7J1R0-40HX por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BUK7J1R0-40HX con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BUK7J1R0-40HX
- Número de pieza:
- BUK7J1R0-40HX
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
- Cantidad de stock:
- 30661 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- BUK7J1R0-40HX.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Tecnología: | - |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | - |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| Paquete / Cubierta: | - |
| Otros nombres: | 934660371115 |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | - |
| Tipo FET: | - |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Descripción detallada: | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BUK7J1R0-40HX
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC