BU18JA2MNVX-CTL está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BU18JA2MNVX-CTL, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BU18JA2MNVX-CTL por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BU18JA2MNVX-CTL con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BU18JA2MNVX-CTL
- Número de pieza:
- BU18JA2MNVX-CTL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- IC REG LINEAR 200MA SSON004R1010
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 46799 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.BU18JA2MNVX-CTL.pdf2.BU18JA2MNVX-CTL.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Caída de tensión (máx.): | 710V @ 200mA |
| Voltaje - Salida (Min / Fijo): | 1.8V |
| Salida de voltaje - (Max): | - |
| Tensión - Entrada (Max): | 6V |
| Paquete del dispositivo: | SSON004R1010 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
| Características de protección: | Over Current, Over Temperature |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 4-UDFN Exposed Pad |
| PSRR: | 70dB (1kHz) |
| Tipo de salida: | Fixed |
| Configuración de salida: | Positive |
| Otros nombres: | BU18JA2MNVX-CTLCT |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C |
| Cantidad de reguladores: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.8V 200mA SSON004R1010 |
| Actual - Quiescente (Iq): | 90µA |
| Corriente - Salida: | 200mA |
| Funciones de control: | ON/OFF |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BU18JA2MNVX-CTL
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga