BSS606NH6327XTSA1 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BSS606NH6327XTSA1, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BSS606NH6327XTSA1 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BSS606NH6327XTSA1 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BSS606NH6327XTSA1
- Número de pieza:
- BSS606NH6327XTSA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 41554 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- BSS606NH6327XTSA1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.3V @ 15µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT89 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-243AA |
| Otros nombres: | BSS606NH6327XTSA1-ND BSS606NH6327XTSA1TR SP000691152 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 657pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 5.6nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | N-Channel 60V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BSS606NH6327XTSA1
Latest Noticias
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial